No JavaScript support!
To take full advantage of this digital library, please verify if your browser supports JavaScript.
loading...
Polish English
Influence of the interface roughness on the interlayer coupling in magnetic superlatticesInfluence of the interface roughness on the interlayer coupling in magnetic superlattices
Find similar objects | Add to bibliography
Magnetic interlayer coupling in the superlattices with rough interfacesMagnetic interlayer coupling in the superlattices with rough interfaces
New ternary phases from the Tb-Cu-Cd: XRD and DSC investigationsNew ternary phases from the Tb-Cu-Cd: XRD and DSC investigations
Interaction of the components in the La-Co-Zn ternary system at 470 KInteraction of the components in the La-Co-Zn ternary system at 470 K
Wolnorodnikowy charakter produktów termolizowanej skrobiWolnorodnikowy charakter produktów termolizowanej skrobi
Nanostructured porous silicon: Properties modificationNanostructured porous silicon: Properties modification
Space-charge-perturbed and space-charge-limited current transients in disordered solidsSpace-charge-perturbed and space-charge-limited current transients in disordered solids
Recent advancements in the theoretical description of thermally stimulated relaxation phenomenaRecent advancements in the theoretical description of thermally stimulated relaxation phenomena
Pamięci Włodzimierza Sawickiego (Volodymyra Grigorovitcha Savitskiego)Pamięci Włodzimierza Sawickiego (Volodymyra Grigorovitcha Savitskiego)
Spis treściSpis treści
Coordination behaviour of 1,2,3-triallylguanidinium and 1,3-diallylbenzimidazolium cations in zwitter-ionic copper(I) halide π-complexesCoordination behaviour of 1,2,3-triallylguanidinium and 1,3-diallylbenzimidazolium cations in zwitter-ionic copper(I) halide π-complexes
The investigation of the growth morphology of naphthalene crystalsThe investigation of the growth morphology of naphthalene crystals
Energy dissipation mechanism in oxides with garnet structure doped 4f-5d transitions rare earth ionsEnergy dissipation mechanism in oxides with garnet structure doped 4f-5d transitions rare earth ions
Gęstość prądu całkowitego w półprzewodniku niejednorodnym ze zmienną przerwą energetyczną w obecności nośników nadmiarowych i gradientu temperaturyGęstość prądu całkowitego w półprzewodniku niejednorodnym ze zmienną przerwą energetyczną w obecności nośników nadmiarowych i gradientu temperatury
Funkcje rozkładu radialnego dla półprzewodników amorficznych As-Ge-SFunkcje rozkładu radialnego dla półprzewodników amorficznych As-Ge-S