No JavaScript support!
To take full advantage of this digital library, please verify if your browser supports JavaScript.
loading...
Polish English
Interaction of the components in the La-Co-Zn ternary system at 470 KInteraction of the components in the La-Co-Zn ternary system at 470 K
Find similar objects | Add to bibliography
New ternary phases from the Tb-Cu-Cd: XRD and DSC investigationsNew ternary phases from the Tb-Cu-Cd: XRD and DSC investigations
Przejścia fazowe w szkle metalicznym Co66Ni12Si9B13Przejścia fazowe w szkle metalicznym Co66Ni12Si9B13
Investigation of the interaction between the components in the Ti-Cu-Zn (670 K) and Fe-Zn-Ge (570 K) systemsInvestigation of the interaction between the components in the Ti-Cu-Zn (670 K) and Fe-Zn-Ge (570 K) systems
Isothermal sections of the Li-{Ti, V}-Bi phase diagrams at 470 KIsothermal sections of the Li-{Ti, V}-Bi phase diagrams at 470 K
Interaction of the components in the Ni-Zn-Bi ternary system at 570 KInteraction of the components in the Ni-Zn-Bi ternary system at 570 K
Spis treściSpis treści
Magnetic properties and magnetic structure of CeLiGe2 compoundMagnetic properties and magnetic structure of CeLiGe2 compound
Absorpcja wodoru oraz krystalograficzne charakterystyki stopu LaNi4.4Zn0.6Absorpcja wodoru oraz krystalograficzne charakterystyki stopu LaNi4.4Zn0.6
Investigation of the Ln-Ni-Zn ternary systemsInvestigation of the Ln-Ni-Zn ternary systems
Czasopisma NaukoweCzasopisma Naukowe
Nanostructured porous silicon: Properties modificationNanostructured porous silicon: Properties modification
Space-charge-perturbed and space-charge-limited current transients in disordered solidsSpace-charge-perturbed and space-charge-limited current transients in disordered solids
The investigation of the growth morphology of naphthalene crystalsThe investigation of the growth morphology of naphthalene crystals
Gęstość prądu całkowitego w półprzewodniku niejednorodnym ze zmienną przerwą energetyczną w obecności nośników nadmiarowych i gradientu temperaturyGęstość prądu całkowitego w półprzewodniku niejednorodnym ze zmienną przerwą energetyczną w obecności nośników nadmiarowych i gradientu temperatury