No JavaScript support!
To take full advantage of this digital library, please verify if your browser supports JavaScript.
loading...
Polish English
New ternary phases from the Tb-Cu-Cd: XRD and DSC investigationsNew ternary phases from the Tb-Cu-Cd: XRD and DSC investigations
Find similar objects | Add to bibliography
Interaction of the components in the Li-Al-Sb ternary system at 470 KInteraction of the components in the Li-Al-Sb ternary system at 470 K
Wolnorodnikowy charakter produktów termolizowanej skrobiWolnorodnikowy charakter produktów termolizowanej skrobi
Investigation of the interaction between the components in the Ti-Cu-Zn (670 K) and Fe-Zn-Ge (570 K) systemsInvestigation of the interaction between the components in the Ti-Cu-Zn (670 K) and Fe-Zn-Ge (570 K) systems
Interaction of the components in the Ni-Zn-Bi ternary system at 570 KInteraction of the components in the Ni-Zn-Bi ternary system at 570 K
Magnetic properties and magnetic structure of CeLiGe2 compoundMagnetic properties and magnetic structure of CeLiGe2 compound
Absorpcja wodoru oraz krystalograficzne charakterystyki stopu LaNi4.4Zn0.6Absorpcja wodoru oraz krystalograficzne charakterystyki stopu LaNi4.4Zn0.6
Przejścia fazowe w szkle metalicznym Co66Ni12Si9B13Przejścia fazowe w szkle metalicznym Co66Ni12Si9B13
Isothermal sections of the Li-{Ti, V}-Bi phase diagrams at 470 KIsothermal sections of the Li-{Ti, V}-Bi phase diagrams at 470 K
Spis treściSpis treści
Wpływ ogrzewania na oddziaływania w układach skrobia-mocznik oraz skrobia-biuretWpływ ogrzewania na oddziaływania w układach skrobia-mocznik oraz skrobia-biuret
Badania oddziaływań w układach skrobia-mocznik i skrobia-biuret ogrzewanych mikrofalowoBadania oddziaływań w układach skrobia-mocznik i skrobia-biuret ogrzewanych mikrofalowo
Interlayer coupling in magnetic superlattices with electron density inhomogeneitiesInterlayer coupling in magnetic superlattices with electron density inhomogeneities
Funkcje rozkładu radialnego dla półprzewodników amorficznych As-Ge-SFunkcje rozkładu radialnego dla półprzewodników amorficznych As-Ge-S
Nanostructured porous silicon: Properties modificationNanostructured porous silicon: Properties modification