No JavaScript support!
To take full advantage of this digital library, please verify if your browser supports JavaScript.
loading...
Polish English
Positron annihilation studies of gamma irradiation effects on UV-cured polymers based on acrylate oligomersPositron annihilation studies of gamma irradiation effects on UV-cured polymers based on acrylate oligomers
Find similar objects | Add to bibliography
Nano-objętości pułapkujące pozytony w szklistym As2Se3Nano-objętości pułapkujące pozytony w szklistym As2Se3
Wolnorodnikowy charakter produktów termolizowanej skrobiWolnorodnikowy charakter produktów termolizowanej skrobi
Spis treściSpis treści
New ternary phases from the Tb-Cu-Cd: XRD and DSC investigationsNew ternary phases from the Tb-Cu-Cd: XRD and DSC investigations
Interaction of the components in the La-Co-Zn ternary system at 470 KInteraction of the components in the La-Co-Zn ternary system at 470 K
Nanostructured porous silicon: Properties modificationNanostructured porous silicon: Properties modification
Badanie zarodkowania fluorantenu w roztworach w 1,2-dichloroetanie metodą ultradźwiękowąBadanie zarodkowania fluorantenu w roztworach w 1,2-dichloroetanie metodą ultradźwiękową
Space-charge-perturbed and space-charge-limited current transients in disordered solidsSpace-charge-perturbed and space-charge-limited current transients in disordered solids
Gęstość prądu całkowitego w półprzewodniku niejednorodnym ze zmienną przerwą energetyczną w obecności nośników nadmiarowych i gradientu temperaturyGęstość prądu całkowitego w półprzewodniku niejednorodnym ze zmienną przerwą energetyczną w obecności nośników nadmiarowych i gradientu temperatury
The investigation of the growth morphology of naphthalene crystalsThe investigation of the growth morphology of naphthalene crystals
Energy dissipation mechanism in oxides with garnet structure doped 4f-5d transitions rare earth ionsEnergy dissipation mechanism in oxides with garnet structure doped 4f-5d transitions rare earth ions
Mechanizmy przewodnictwa elektrycznego w cienkich warstwach p-trójfenyluMechanizmy przewodnictwa elektrycznego w cienkich warstwach p-trójfenylu
Naprężenia własne a rozkład defektów krystalograficznych w płytkach Cz-Si po technologii CMOSNaprężenia własne a rozkład defektów krystalograficznych w płytkach Cz-Si po technologii CMOS
Przejścia fazowe w szkle metalicznym Co66Ni12Si9B13Przejścia fazowe w szkle metalicznym Co66Ni12Si9B13