No JavaScript support!
To take full advantage of this digital library, please verify if your browser supports JavaScript.
loading...
Polish English
The investigation of the growth morphology of naphthalene crystalsThe investigation of the growth morphology of naphthalene crystals
Find similar objects | Add to bibliography
Gęstość niektórych roztworów wzrostowych fluorenu w obszarze metastabilnego przesyceniaGęstość niektórych roztworów wzrostowych fluorenu w obszarze metastabilnego przesycenia
X-ray examinations of acenaphthene, fluoranthene and pyrene crystals grown from solutionsX-ray examinations of acenaphthene, fluoranthene and pyrene crystals grown from solutions
Badanie szerokości obszaru metastabilnego roztworów wzrostowych fluorantenu w trichloroetylenieBadanie szerokości obszaru metastabilnego roztworów wzrostowych fluorantenu w trichloroetylenie
Nanostructured porous silicon: Properties modificationNanostructured porous silicon: Properties modification
Funkcje rozkładu radialnego dla półprzewodników amorficznych As-Ge-SFunkcje rozkładu radialnego dla półprzewodników amorficznych As-Ge-S
Space-charge-perturbed and space-charge-limited current transients in disordered solidsSpace-charge-perturbed and space-charge-limited current transients in disordered solids
Gęstość prądu całkowitego w półprzewodniku niejednorodnym ze zmienną przerwą energetyczną w obecności nośników nadmiarowych i gradientu temperaturyGęstość prądu całkowitego w półprzewodniku niejednorodnym ze zmienną przerwą energetyczną w obecności nośników nadmiarowych i gradientu temperatury
Energy dissipation mechanism in oxides with garnet structure doped 4f-5d transitions rare earth ionsEnergy dissipation mechanism in oxides with garnet structure doped 4f-5d transitions rare earth ions
Mechanizmy przewodnictwa elektrycznego w cienkich warstwach p-trójfenyluMechanizmy przewodnictwa elektrycznego w cienkich warstwach p-trójfenylu
Naprężenia własne a rozkład defektów krystalograficznych w płytkach Cz-Si po technologii CMOSNaprężenia własne a rozkład defektów krystalograficznych w płytkach Cz-Si po technologii CMOS
Przejścia fazowe w szkle metalicznym Co66Ni12Si9B13Przejścia fazowe w szkle metalicznym Co66Ni12Si9B13
Absorpcja wodoru oraz krystalograficzne charakterystyki stopu LaNi4.4Zn0.6Absorpcja wodoru oraz krystalograficzne charakterystyki stopu LaNi4.4Zn0.6
Własności elektryczne chitozanu i octanu chitozanuWłasności elektryczne chitozanu i octanu chitozanu
Wolnorodnikowy charakter produktów termolizowanej skrobiWolnorodnikowy charakter produktów termolizowanej skrobi